전력 반도체 장치

Power Semiconductor Device

Abstract

The present disclosure relates to a power semiconductor device. The disclosed power semiconductor device includes a power semiconductor element formed on a lower structure and has a structure, where the lower electrode of the power semiconductor element is electrically connected to a solder layer, and a structure where an upper electrode is electrically connected to a wire through a pad layer. This power semiconductor device reduces process costs and realizes process integration by massive production in a wafer level.
본 개시는 전력 반도체 장치에 대한 것이다. 개시된 전력 반도체 장치는 하부 구조체 상에 형성된 전력 반도체 소자를 포함하며, 전력 반도체 소자 하부의 전극이 솔더층과 전기적으로 연결된 구조를 지니고, 상부의 전극이 패드층을 통하여 와이어와 전기적으로 연결된 구조를 지닐 수 있으며, 이러한 전력 반도체 장치는 웨이퍼 레벨에서 대량으로 형성함으로써 공정 비용의 저감 및 공정의 집약화를 이룰 수 있다.

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